Ultra hoë kapasiteit en lae latency-DDR5-6400 CL38-48-48-102 512 GB (64GBX8)
24 Julie 2025-G.Skill International, die wêreldbekende leier in die oorklok van geheue en hoëprestasie-speletoerusting, kondig amptelik die vrystelling van die T5 NEO DDR5-6400 CL38 512 GB (64GBX8) R-DIMM Overclocked Memory Kit, ontwerp vir die jongste AMD Ryzen ™ Threadripper ™ Pro Workstation-prosesse en ondersteunende AMD Ryzen ™ Threadripper ™ Pro Workstation-prosestegnologie.Hierdie nuutste 16-laag DDR5 R-DIMM PCB met G.Skill en toegerus met kortstondige spanningsonderdrukking (TVS) diodes en lontontwerp, bied hierdie nuwe generasie-module uitsonderlike seinintegriteit en spanningsbeskerming.Of dit nou 'n databerekeningsentrum, AI- en masjienleerplatform of 'n hoëprestasie-wetenskaplike rekenaaromgewing is, die T5 NEO-hoë-snelheid DDR5 R-DIMM-geheue lewer uitstekende data-oordragprestasie, uitstekende stelselstabiliteit en 'n robuuste ingeboude beskermingsmeganismes vir premium werkstasie-oplossings.
G.Skill is toegewyd aan die vervaardiging van hoëprestasie-geheue om aan die uiterste eise van werkstasie-gebruikers te voldoen.Die nuut-bekendgestelde T5 NEO DDR5-6400 512 GB (64GBX8) High-Spec Kit kombineer 'n enorme 512 GB-kapasiteit met 'n lae-latency CL38-tydsberekening om die prestasielimiete van DDR5 R-DIMM-geheue te herdefinieer, wat 'n nuwe vlak van seemlose ervaring vir wêreldwye werkstasies bied.This kit is built specifically for AMD Ryzen™ Threadripper™ PRO workstations, supports AMD EXPO overclocking technology, and has successfully passed burn-in testing with the latest AMD Ryzen™ Threadripper™ PRO 9945WX processor and ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE motherboard.Sien toetsskerms hieronder:
Die nuwe T5 NEO DDR5-6400 512 GB (64GBX8) hoë-werkverrigting R-DIMM-geheue bevat 'n 16-laag PCB, 'n beduidende opgradering oor tradisionele 8-laag- of 10-laag-ontwerpe.Hierdie hoë-digtheid multi-laag struktuur verhoog die geheue-snelheid, versterk die seinintegriteit en verminder sein-interferensie, wat stabiele en doeltreffende data-oordrag verseker, selfs onder swaar werklading.Deur middel van 'n strenger PCB-uitlegontwerp behaal die module uitstekende prestasie in sein- en kragdoeltreffendheid, wat die grootskaalse rekenaar maklik ondersteun sonder om te veel te laai-die streng prestasievereistes van hoë-end-werkstasies, hoëprestasie-rekenaar (HPC) en hoë-snelheidsverwerkingsentrums.
TVS -beskermingsmeganisme verhoog veiligheid
Die G.Skill T5 NEO-reeks DDR5 R-DIMM-geheue is ontwerp vir ondernemings-Aangesien die module 12V -invoer direk vanaf die moederbord trek, bevat dit gevorderde beskermingsmeganismes.Om kortstondige spanningspunte en elektrostatiese ontlading (ESD) te voorkom, is elke module toegerus met hoë kwaliteit kortstondige spanningsonderdrukkings (TV's) diodes en oppervlakmonteringstegnologie (SMT), wat 'n soliede ontwerp van die beskerming van dubbele laag vorm.Hierdie veiligheidsmeganisme verhoog nie net die duursaamheid van die module nie, maar verseker ook stabiele werkverrigting onder langtermyn-hoë-vrag-werking, wat die G.Skill T5 NEO-reeks DDR5 R-DIMM-geheue die uiteindelike oplossing maak vir die volgende generasie hoëprestasie-werkstasie-geheue.