TP65H050WS / TP65H035WS Derde generasie (Gen III) Gallium nitride (GaN) veldeffektransistors (FET's)

GaF FET's van Transphorm bevat stiller skakeling deur die vermindering van elektromagnetiese interferensie (EMI) en verhoogde ruisimmuniteit

Transphorm se TP65H050WS en TP65H035WS is Gen III 650 V GaN FET's. Dit lewer laer EMI, verhoogde immuniteit teen hekgeluide en groter ruimte in kringtoepassings. Die 50 mΩ TP65H050WS en die 35 mΩ TP65H035WS is beskikbaar in standaard-TO-247-pakkette.

'N MOSFET- en ontwerpmodifikasies stel die Gen III-toestelle in staat om 'n verhoogde drempelspanning (geraasimmuniteit) tot 4 V vanaf 2.1 V (Gen II) te lewer, wat die behoefte aan 'n negatiewe hekaandrywing uitskakel. Die hekbetroubaarheid het van Gen II met 11% verhoog tot ± 20 V maksimum. Dit lei tot stiller skakeling en die platform lewer prestasieverbetering op hoër stroomvlakke met eenvoudige eksterne stroombane.

Seasonic Electronics Company se 1600T is 'n 1600 W, bridgeless totem-paal platform wat hierdie hoë-spanning GaN FET's gebruik om effektiwiteit van PKF (99% power factor correction) te lewer in batterye-laaiers (e-scooters, industriële en meer), rekenaarkrag, bedieners , en speletjiesmarkte. Die voordele verbonde aan die gebruik van hierdie FET's met die silicon-gebaseerde platform 1600T is verhoogde doeltreffendheid met 2% en verhoogde drywingsdigtheid met 20%.

Die 1600T-platform gebruik die Transformers TP65H035WS om verhoogde doeltreffendheid te bereik in harde en sagte skakelaars en bied gebruikers opsies by die ontwerp van kragstelselprodukte. Die TP65H035WS pare met algemeen gebruikte hekdrywers om ontwerpe te vereenvoudig.